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厚膜片式和薄膜片式(膜层的方阻大于2KΩ时)电阻器的温度系数性能改进

需求领域:新材料,信息技术,装备制造 所在地:安徽省/蚌埠市 研发经费:面议

发布时间:2019-07-09 期望解决时间:2021-06-28

联系方式:****** 企业规模:****** 主营业务:******

需求描述

一、企业介绍

企业是一家电阻器专业生产厂家,专业从事各类精密电阻器、精密电阻网络的开发生产和销售。公司主要产品有EE、RE、UAR、RN(RJK)型精密金属膜电阻器、RMK型有失效率等级的薄(厚)膜电阻器、MELF精密柱状片式电阻器、RJ系列半精密金属膜电阻器、CHS型高阻片式电阻器、HVR型高压电阻器、GST型高阻电阻器等。产品符合美国军标(MIL)和国家军标(GJB),可广泛应用于精密仪器仪表、电子衡器、航天、航空、船舶等国防军工电子设备配套。 

二、需求介绍

企业想提升电阻器的温度系数性能,希望在材料性能和电阻加工工艺方面有所突破,目前企业采用的是光刻加工工艺。具体指标要求如下:

1、厚膜片式电阻器的温度系数性能改进: 实现厚膜片式电阻器的温度系数(TCR)达到±50 PPM/ ℃,工作温度范围:-65℃到150℃,同时性能满足 GJB1432B-2009的要求,主要解决厚膜的浆料以及电阻器加工工艺问题。目前产品温度系数水平是±100 PPM/℃。

 2、薄膜片式电阻器的高阻温度系数性能改进:生产薄膜片式电阻器时,高阻电阻器难以实现较低的温度系数(TCR),特别是NiCr合金膜层的方阻大于2KΩ 时,温度系数达不到±10PPM/℃,而且稳定性也保证不了标准要求,难题就是: 实现薄膜片式电阻在较高的阻值段(也就是膜层的方阻大于2KΩ时)的温度系数(TCR)可达到±10PPM/ ℃,工作温度范围:-65℃到150℃,同时产品性能满足 GJB1432B-2009的要求,主要解决合金靶材材料和电阻加工工艺问题。

三、合作方式

企业具备产品检验条件(包括严格的电气、机械及外观的检验),希望技术买断,不考虑技术入股合作方式,具体合作费用,面议为主(企业希望解决团队先给予合适的报价,若领导觉得价格合适则可继续谈后续如何进一步合作)。

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