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【高性能】硅基Al2O3薄膜微型芯片电容器的应用

适用于各电子技术领域。起旁路和滤波作用。

#信息技术
样机(样品)

技术详情

该产品是通过微型电容工艺制成的新微型芯片电容器

该技术主要是通过微型电容工艺,综合解决了芯片电容器的不同制作方法中存在的不同问题。微型芯片电容器是微波集成电路、多芯片组件封装中一个非常重要的电子器件,起旁路和滤波作用,使微波频段工作的IC电源电压稳定。要求其体积小、Q值高、电容值范围宽、成本低。

但不同工艺中存在不同弊端:

技术原理:

硅基Al2O3薄膜微型芯片电容器包括低阻(电阻率≤1×10-3Ω·cm)硅衬底、非晶Al2O3绝缘薄膜、上电极、下电极四层结构。采用射频磁控溅射法,以高纯Al2O3陶瓷为靶材,在单晶Si衬底生长Al2O3非晶绝缘薄膜,接着在薄膜表面溅射生长Ti或TiW层和Au层,再经电镀Au加厚后,通过光刻、腐蚀的方法制作上电极图形,根据芯片电容厚度的要求对Si片背面减薄,在背面溅射Ti或TiW层和Au层作为下电极,划片后制作成芯片电容。

该电容器结构简单,工艺兼容性强,Q值高,低损耗,工作温度范围大

采用低阻硅片做衬底,不仅克服MOS结构电容C值随电压V变化的缺点,同时提高芯片电容工作时电容量的稳定性,而且减小了芯片电容器等效串联电阻,提高了芯片电容的Q值,损耗小,在电路或网络的选择性愈佳,工作温度范围也大。

基于上述原理,硅基Al2O3薄膜芯片电容器结构简单,制作工艺与普通半导体薄膜工艺兼容,制作容易,成本低廉,一致性较好。

可焊性好、寿命长, 成本低。

该硅基Al2O3薄膜电容器在1MHz下损耗角正切仅为0.005,其性能良好。该电容器上电极和下电极表面均为金材料,可焊性好,成本低。上电极电镀金加厚,还可提高金丝引线的键合强度。

该产品具有耐压性,其体积小,体积可变,灵活性强

因其结构,非晶Al2O3薄膜作为所述的芯片电容器的介质薄膜,低阻硅片作衬底,以达到提高电容容量,减小面积,耐压,减小串联寄生电阻的目的。因其小,所以适合表面贴装。并且可根据实际电路和封装需要,灵活控制电容量、芯片电容器面积和厚度。电容量可从几十皮法到几千皮法,厚度最小可到100μm。

项目进展:

样品已出,现寻求与企业合作,进行中试,生产。

合作模式:

可技术买断,技术入股,技术转让。

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